Voer een woord of zin in in een taal naar keuze 👆
Taal:
Vertaling en analyse van woorden door kunstmatige intelligentie ChatGPT
Op deze pagina kunt u een gedetailleerde analyse krijgen van een woord of zin, geproduceerd met behulp van de beste kunstmatige intelligentietechnologie tot nu toe:
- hoe het woord wordt gebruikt
- gebruiksfrequentie
- het wordt vaker gebruikt in mondelinge of schriftelijke toespraken
- opties voor woordvertaling
- Gebruiksvoorbeelden (meerdere zinnen met vertaling)
- etymologie
Wat (wie) is Фоторезистор - definitie
Фотосопротивление; Фоторезистивный эффект
ФОТОРЕЗИСТОР
(от фото ... и резистор), полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от его освещенности. Применяется, напр., в устройствах для воспроизведения звука, в следящих системах.
ФОТОРЕЗИСТОР
а, м. тех.
Полупроводниковый прибор, проводимость которого меняется в зависимости от его освещенности.
Фоторезисторный - относящийся к фоторезистору, фоторезисторам.
Фоторезистор
полупроводниковый прибор, характеризующийся свойством изменять своё электрическое сопротивление под действием оптического излучения (см. Фотопроводимость). Через Ф., включенный в электрическую цепь, содержащую источник постоянного тока, протекает электрический ток. При облучении Ф. ток увеличивается в результате появления фототока, который пропорционален уровню воздействующего сигнала и не зависит от полярности приложенного к Ф. напряжения. Появление фототока (или вызванного им изменения напряжения на Ф.) используется для регистрации излучений (см. Приёмники излучения, Приёмники света, Оптрон).
Для изготовления Ф. используют Se, Te, Ge (чистый либо легированный Au, Cu или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, CdS, CdSe, HgCdTe. Характерная особенность этих полупроводниковых материалов - малая ширина запрещенной зоны (См. Запрещённая зона) (например, у InSb она составляет 0,18 эв). Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку либо вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой (пластинку) снабжают двумя контактами (электродами). Подложку с фоточувствительным слоем (или пластинку) и электроды помещают в защитный корпус.
Важнейшие параметры Ф.: интегральная чувствительность (определяемая как отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения при номинальном значении напряжения питания) составляет 103-108 в/вт; порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот) достигает 10-12вт/гц1/2 постоянная времени (характеризующая инерционность Ф.) лежит в пределах 10-3-10-8 сек. Для повышения порога чувствительности и расширения рабочего диапазона длин волн принимаемого излучения фоточувствительный слой некоторых Ф. подвергают охлаждению. Так, охлаждение Ф. из PbS до 78 К позволяет на порядок повысить пороговую чувствительность и расширить диапазон длин волн принимаемого излучения с 3,3 мкм до 5 мкм; глубоким охлаждением (до 4 К) Ф. из Ge, легированного Zn, доводят границу его спектральной чувствительности до 40 мкм.
Лит.: Марков М, Н., Приемники инфракрасного излучения, М., 1968; Аксененко М. Д., Красовский Е. А., Фоторезисторы, М., 1973.
И. Ф. Усольцев.
Wikipedia
Фоторезистор
Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом. Не имеет p-n-перехода, поэтому обладает одинаковой проводимостью независимо от направления протекания тока.
Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом.
